BGA リワークステーションを購入する

BGA リワークステーションを購入する

1. BGA リワーク ステーションは、元のメーカーから直接購入できます。2. DH-A2 自動 BGA リワーク ステーション 3。 BGA角度調整およびマザーボード調整用マイクロメーター。4. 港: 深セン。

説明

BGA リワークステーションを購入する 

bga soldering station

Automatic BGA Soldering Station with optical alignment

1.自動光学式BGAリワークステーションの応用 

あらゆる種類のマザーボードまたは PCBA を使用できます。

さまざまな種類のチップのはんだ付け、リボール、はんだ除去: BGA、PGA、POP、BQFP、QFN、SOT223、PLCC、TQFP、TDFN、TSOP、

PBGA、CPGA、LEDチップ。

2.製品の特徴自動光学式BGA リワークステーション 

Automatic BGA Soldering Station with optical alignment

 

3.仕様自動光学式BGA リワークステーション 

Laser position CCD Camera BGA Reballing Machine

4.詳細自動光学式BGA リワークステーション 

ic desoldering machine

chip desoldering machine

pcb desoldering machine


5.当社を選ぶ理由自動光学式BGA リワークステーション

motherboard desoldering machinemobile phone desoldering machine


6.証明書自動光学式BGA リワークステーション 

UL、E-MARK、CCC、FCC、CE ROHS 証明書。 一方、品質システムを改善し、完成させるために、

Dinghua は ISO、GMP、FCCA、C-TPAT オンサイト監査認証に合格しています。

pace bga rework station


7.梱包・発送自動BGA リワークステーション 

Packing Lisk-brochure



8.発送について自動光学式リボールBGAマシン

DHL/TNT/フェデックス。 他の配送​​期間をご希望の場合はお知らせください。 私たちはあなたをサポートします。


9. 支払い条件

銀行振込、ウェスタンユニオン、クレジットカード。

その他のサポートが必要な場合はお知らせください。


10. DH-A2 自動 BGA IC リボール機はどのように動作しますか?




11. 関連知識

フラッシュチップについて


供給力学

最近、SandForce の新しい所有者であるチップ会社 LSI は、SF マスター SSD 用の新しいファームウェアを開発中であると発表しました。

ウルトラブックで。 主な機能は、SSD の消費電力を削減し、SSD のパフォーマンスを向上させることです。

SSD搭載で起動も高速化。 スピード。


パラメータ

3. 3V電源;

チップの内部メモリセルアレイは (256M + 8.192M) ビット × 8 ビットで、データレジスタとバッファメモリは両方とも

(2k + 64) ビット × 8 ビット;

命令/アドレス/データ多重化を備えた I/O ポート。

プログラムおよび消去コマンドは、電力変換中に一時停止できます。

信頼性の高い CMOS ムービング ゲート テクノロジーのおかげで、チップは最大 100kB のプログラム/消去サイクルを達成できます。

10 年間の損失のないデータ保管を保証します。


稼働状況

I/O0~I/O7: データ入出力ポート。I/O ポートは命令やアドレスの入力、データの入出力によく使用されます。

データはどこにあるのか

読み取り中に入力します。 チップが選択されていない場合、または出力できない場合、I/O ポートはハイ インピーダンス状態になります。

CLE: 命令ラッチは、命令を命令レジスタ パスにアクティブ化し、命令をレジスタ パスにラッチするために使用されます。

WE と CLE の立ち上がりエッジが High です。

ALE: アドレス ラッチ。内部アドレス レジスタへのアドレスのパスをアクティブにするために使用され、アドレスはアドレス レジスタにラッチされます。

WE と ALE の立ち上がりエッジが High です。

CE: チップ セレクター。デバイスの選択を制御するために使用されます。 デバイスがビジー状態の場合、CE は High になり無視され、デバイスは復帰できません。

スタンバイ状態にします。

RE: 読み取りイネーブル。データの連続出力を制御し、データを I/O バスに送信するために使用されます。 出力データは次の場合にのみ有効です。

RE の立ち下がりエッジであり、内部データ アドレスを蓄積することもできます。

WE:ライトイネーブル端子は、I/Oポートの命令書き込みを制御するために使用されます。 同時にコマンド、アドレス

データはこのポートを介して WE パルスの立ち上がりエッジでラッチできます。

WP: ライトプロテクタ。WP 端子を介して電力変換時にライトプロテクトを設定できます。 WP が低い場合、内部

高レベルジェネレータがリセットされます。

R/B : Ready/Busy 出力、R/B の出力はデバイスの動作状態を示すことができます。 R/B が Low の場合、プログラムが実行されていることを示します。

消去またはランダム読み取り操作が進行中です。 動作完了後、R/B は自動的にハイレベルに戻ります。 以来、

端子はオープンドレイン出力のため、チップ非選択時や出力無効時でもハイインピーダンス状態にはなりません。

PRE: パワーオンリード動作、電源投入時の自動リード動作の制御に使用され、PRE 端子を接続可能

電源投入時の自動読み出し動作を実現するために、VCC に接続します。

VCC: チップ電源端子。

VSS: チップグランド。

NC: ぶら下がっています。

作業状況の編集

1ページ読み取り動作

フラッシュ チップのデフォルト状態は読み取り状態です。 読み取り操作は、00h アドレスを

命令レジスタは 4 つのアドレス サイクルを通じて実行されます。 命令がラッチされると、次のページに読み取り操作を書き込むことはできません。

ランダムデータ出力命令を記述することで、1ページからランダムにデータを出力することができます。 データアドレスは自動的に検索されます

出力するデータアドレスからランダム出力命令により次のアドレスを出力します。 ランダムデータ出力操作は複数回使用可能

回。

2ページプログラミング

フラッシュ チップのプログラミングはページごとですが、単一ページ プログラミング サイクルで複数の部分ページ プログラミングをサポートします。

部分ページの連続ページ数は 2112 です。ページ プログラムに書き込むことでプログラム動作を開始できます。

確認命令(10h)を書き込みますが、命令(10h)を書き込む前に連続データを入力する必要があります。

連続データロード 連続データ入力命令(80h)を書き込んだ後、4サイクルのアドレス入力とデータロードを開始しますが、

ワードはプログラムされたデータとは異なるため、ロードする必要はありません。 このチップはページ内のデータのランダム入力をサポートしており、

ランダムデータ入力コマンド(85h)に応じてアドレスを自動変更します。 ランダムなデータ入力も複数回使用できます。

3 キャッシュプログラミング

キャッシュ プログラミングは、2112- バイト データ レジスタによって実行できるページ プログラミングの一種で、1 つのブロック内でのみ有効です。 なぜなら

フラッシュチップにはページバッファがあり、データレジスタがメモリセルにプログラムされるときに連続データ入力を実行できます。 キャッシュ

プログラミングは、不完全なプログラミング サイクルが終了し、データ レジスタがキャッシュから渡された後にのみ開始できます。 内部プログラミングはR/Bピンで判断できます。 システムが R/B のみを使用してプログラムの進行状況を監視する場合、最後のページの順序は

ターゲット プログラムのは、現在のページ プログラミング命令によって配置する必要があります。

4ストレージユニットダビング

この効果により、外部メモリにアクセスすることなく、ページ内のデータを迅速かつ効率的に上書きできます。 継続的に費やした時間から、

アクセスとリロードが短縮され、システムの実行能力が向上します。 特にブロックの一部がアップグレードされ、

ブロックの残りの部分を新しいブロックにコピーする必要があるため、その利点が明確に示されています。 この操作は継続的に実行される読み取りコマンドです。

ただし、宛先アドレスに継続的にアクセスしてプログラムをコピーする必要はありません。 元のページアドレスの読み取り操作

「35h」の命令は、2112 バイトのデータ全体を内部データ バッファに転送できます。 チップが準備完了状態に戻ると、ページ コピーが行われます。

宛先アドレスループを伴うデータ入力命令を記述します。 この操作におけるエラープログラムは、「合格/失敗」ステータスによって示されます。 しかし、

操作の実行に時間がかかりすぎると、データ損失によるビット操作エラーが発生し、外部エラー「チェック/修正」デバイス チェックが発生します。

失敗。 このため、2 つのエラーを修正する必要があります。

5ブロック消去

フラッシュチップの消去動作はブロック単位で行われます。 ブロック アドレスのロードはブロック消去命令で開始され、2 サイクルで完了します。 実際、アドレス ライン A12 ~ A17 がフローティングのままの場合、アドレス ライン A18 ~ A28 のみが使用可能になります。 消去確認コマンドとブロックアドレスをロードすることで消去を開始できます。 この動作はメモリ内容が外来ノイズの影響を受けて消去エラーが発生することを防ぐためです。

6 読み取りステータス

フラッシュ チップ内のステータス レジスタは、プログラムおよび消去操作が正常に完了したことを確認します。 命令レジスタへの書き込み命令 (70h) の後、読み取りサイクルは CE または RE の立ち下がりエッジでステータス レジスタの内容を I/O に出力します。 命令レジスタは、新しい命令が到着するまで読み取り状態を維持するため、ランダム読み取りサイクル中にステータス レジスタが読み取り状態にある場合は、読み取りサイクルが始まる前に読み取り命令を与える必要があります。




(0/10)

clearall